DDR4 VDD = 1,2V Típico VPP = 2,5V Típico VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V Terminais nominais e dinâmicos no DIE (ODT) para dados, oscilação e máscara de sinais Auto atualização de baixa potência (LPASR) Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados Geração e calibração VREFDQ no DIE Single-Rank EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS) BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF) Topologia fly-by Comando de controle e barramento de endereços PCB: Altura 1,18” (30,00 mm) Em conformidade com RoHS e sem halogênios |